LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点-电子产品世界手机版 - 必威娱乐平台

LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点相关

服务器支撑下半年需求，预估DRAM价格第三季涨幅达8-13%

网络与存储 2024-06-27
SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%

网络与存储 2024-06-26
云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7%

网络与存储 2024-06-26
HBM供应吃紧催生DRAM涨价美光股价飙涨

网络与存储 2024-06-25
美光后里厂火灾公司声明营运未受任何影响

网络与存储 2024-06-21
通用 DRAM 内存仍供大于求，消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

网络与存储 2024-06-19
合约价劲涨护身 DRAM不怕淡季 Q1营收季增

网络与存储 2024-06-17
合约价上涨抵消淡季效应，推升DRAM第一季营收季增5.1%

网络与存储 2024-06-13
南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

网络与存储 2024-05-30
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

网络与存储 2024-05-29
HBM火热效应 DRAM下半年可望供不应求

网络与存储 2024-05-21
三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

2024-05-16
SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

网络与存储 2024-05-14
第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%

网络与存储 2024-05-07
2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成

网络与存储 2024-05-06

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